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Digi-Key Teilenummer SI2325DS-T1-E3CT-ND
Verfügbare Menge 24.259
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI2325DS-T1-E3

Beschreibung MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
Erweiterte Beschreibung P-Channel 150V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI2325DS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
EDA/CAD-Modelle ? Von Accelerated Designs herunterladen
Katalogseite 1580 (DE2011-DE PDF)
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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 150V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 530mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V @ 250µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 510pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 1,2 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI2325DS-T1-E3CT

13:59:06 1.16.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,95000 0,95
10 0,84600 8,46
25 0,80280 20,07
100 0,65940 65,94
250 0,61640 154,10
500 0,54472 272,36
1.000 0,43004 430,04

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI2325DS-T1-E3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 24.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,38968
  • Digi-Reel® ? : SI2325DS-T1-E3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 24.259 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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