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Digi-Key Teilenummer SI2323DS-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 12.954
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI2323DS-T1-GE3

Beschreibung MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Erweiterte Beschreibung P-Channel 20V 3.7A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter Si2323DS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Katalogseite 1580 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 3,7 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 19nC @ 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1020pF @ 10V
Vgs (Max.) ±8V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 750 mW (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 39 mOhm @ 4,7A, 4,5V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI2323DS-T1-GE3CT

17:13:22 1.23.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,58000 0,58
10 0,48900 4,89
25 0,45680 11,42
100 0,36540 36,54
250 0,33928 84,82
500 0,28710 143,55
1.000 0,22184 221,84

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI2323DS-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 9.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,19638
  • Digi-Reel® ? : SI2323DS-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 12.954 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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