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Digi-Key Teilenummer SI2315BDS-T1-E3CT-ND
Verfügbare Menge 24.867
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI2315BDS-T1-E3

Beschreibung MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Erweiterte Beschreibung P-Channel 12V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 16 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI2315BDS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Katalogseite 1580 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 12V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 15nC @ 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 715pF @ 6V
Vgs (Max.) ±8V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 50 mOhm @ 3,85A, 4,5V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI2315BDS-T1-E3CT

03:05:21 1.19.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,48000 0,48
10 0,38600 3,86
25 0,35280 8,82
100 0,26260 26,26
250 0,23796 59,49
500 0,19694 98,47
1.000 0,14769 147,69

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI2315BDS-T1-E3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 21.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,13144
  • Digi-Reel® ? : SI2315BDS-T1-E3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 24.867 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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