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Digi-Key Teilenummer SI2312BDS-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 37.739
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI2312BDS-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Erweiterte Beschreibung N-Channel 20V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 14 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter Si2312BDS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Katalogseite 1577 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 3,9 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 850 mV @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 12 nC @ 4,5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds -
Vgs (Max.) ±8 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 750 mW (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 31 mOhm @ 5 A, 4,5 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI2312BDS-T1-GE3CT

16:19:09 3.26.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,40000 0,40
10 0,33700 3,37
25 0,31440 7,86
100 0,25160 25,16
250 0,23360 58,40
500 0,19766 98,83
1.000 0,15273 152,73

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI2312BDS-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 36.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,14392
  • Digi-Reel® ? : SI2312BDS-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 37.739 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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