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Digi-Key Teilenummer SI2308BDS-T1-E3CT-ND
Verfügbare Menge 10.533
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI2308BDS-T1-E3

Beschreibung MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Erweiterte Beschreibung N-Channel 60V 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 16 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI2308BDS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 2,3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 6,8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 190pF @ 30V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,09 W (Ta), 1,66 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 156 mOhm @ 1,9A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI2308BDS-T1-E3CT

09:55:57 1.19.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,41000 0,41
10 0,35600 3,56
25 0,33200 8,30
100 0,26580 26,58
250 0,24676 61,69
500 0,20880 104,40
1.000 0,16134 161,34

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI2308BDS-T1-E3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 9.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,14282
  • Digi-Reel® ? : SI2308BDS-T1-E3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 10.533 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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