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Digi-Key Teilenummer SI2304DDS-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 1.019
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI2304DDS-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
Erweiterte Beschreibung N-Channel 30V 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI2304DDS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 3,3 A (Ta), 3,6 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,2 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 6,7 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 235 pF @ 15 V
Vgs (Max.) ±20 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,1 W (Ta), 1,7 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 60 mOhm @ 3,2 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI2304DDS-T1-GE3CT

17:11:56 3.23.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,42000 0,42
10 0,33600 3,36
25 0,30720 7,68
100 0,22870 22,87
250 0,20728 51,82
500 0,17152 85,76
1.000 0,12864 128,64

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI2304DDS-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Einheitspreis: 0,11449
  • Digi-Reel® ? : SI2304DDS-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 1.019 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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