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Digi-Key Teilenummer SI2303CDS-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 8.084
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI2303CDS-T1-GE3

Beschreibung MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Erweiterte Beschreibung P-Channel 30V 2.7A (Tc) 1W (Ta), 2.3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SI2303CDS
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Katalogseite 1580 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 2,7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 155pF @ 15V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1 W (Ta), 2,3 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 190 mOhm @ 1,9A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI2303CDS-T1-GE3CT

02:21:01 1.20.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,39000 0,39
10 0,32100 3,21
25 0,29320 7,33
100 0,21830 21,83
250 0,19784 49,46
500 0,16370 81,85
1.000 0,12279 122,79

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI2303CDS-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 3.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,10927
  • Digi-Reel® ? : SI2303CDS-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 8.084 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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