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Digi-Key Teilenummer SI1070X-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 16.301
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SI1070X-T1-GE3

Beschreibung MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
Erweiterte Beschreibung N-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter Si1070X
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie TrenchFET®
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C -
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1,55 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 8,3 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 385 pF @ 15 V
Vgs (Max.) ±12V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 236 mW (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 99 mOhm @ 1,2 A, 4,5 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SC-89-6
Gehäuse / Hülle SOT-563, SOT-666
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI1070X-T1-GE3CT

10:15:08 2.20.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,47000 0,47
10 0,39700 3,97
25 0,37000 9,25
100 0,29610 29,61
250 0,27504 68,76
500 0,23270 116,35
1.000 0,17982 179,82

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : SI1070X-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 15.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,15918
  • Digi-Reel® ? : SI1070X-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 16.301 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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