Zu Favoriten hinzufügen
Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer IRLD024PBF-ND
Verfügbare Menge 14.638
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRLD024PBF

Beschreibung MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
Erweiterte Beschreibung N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 11 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IRLD024
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
EDA/CAD-Modelle ? Von Accelerated Designs herunterladen
Katalogseite 1445 (DE2011-DE PDF)
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 2,5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4V, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 18nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 870pF @ 25V
Vgs (Max.) ±10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,3 W (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 100 mOhm @ 1,5A, 5V
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Gehäuse / Hülle 4-DIP (0,300", 7,62 mm)
 
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 100
Andere Namen *IRLD024PBF

17:36:40 1.19.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,91000 0,91
10 0,81300 8,13
25 0,77120 19,28
100 0,63360 63,36
250 0,59224 148,06
500 0,52338 261,69
1.000 0,41319 413,19
2.500 0,38565 964,12
5.000 0,36637 1.831,83

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Feedback senden