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Digi-Key Teilenummer IRLD024PBF-ND
Verfügbare Menge 12.020
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRLD024PBF

Beschreibung MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
Erweiterte Beschreibung N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 11 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IRLD024
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Katalogseite 1445 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 2,5 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4V, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 2 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 18 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 870 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,3 W (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 100 mOhm @ 1,5 A, 5 V
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Gehäuse / Hülle 4-DIP (0,300", 7,62 mm)
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 100
Andere Namen *IRLD024PBF

10:48:25 2.26.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,89000 0,89
10 0,79100 7,91
25 0,75040 18,76
100 0,61630 61,63
250 0,57608 144,02
500 0,50910 254,55
1.000 0,40191 401,91
2.500 0,37512 937,80
5.000 0,35636 1.781,82

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