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Digi-Key Teilenummer IRLD014PBF-ND
Verfügbare Menge 7.369
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRLD014PBF

Beschreibung MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Erweiterte Beschreibung N-Channel 60V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 9 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IRLD014
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Katalogseite 1445 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 1,7 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4V, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 8,4nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 400pF @ 25V
Vgs (Max.) ±10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,3 W (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 200 mOhm @ 1A, 5V
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Gehäuse / Hülle 4-DIP (0,300", 7,62 mm)
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 100
Andere Namen *IRLD014PBF

13:53:00 1.24.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,84000 0,84
10 0,74500 7,45
25 0,70680 17,67
100 0,58060 58,06
250 0,54272 135,68
500 0,47962 239,81
1.000 0,37864 378,64
2.500 0,35340 883,50
5.000 0,33573 1.678,64

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