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Digi-Key Teilenummer IRLD014PBF-ND
Verfügbare Menge 8.505
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRLD014PBF

Beschreibung MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Erweiterte Beschreibung N-Channel 60V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 9 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IRLD014
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Katalogseite 1445 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 1,7 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4V, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 2 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 8,4 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 400 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±10 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,3 W (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 200 mOhm @ 1 A, 5 V
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Gehäuse / Hülle 4-DIP (0,300", 7,62 mm)
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 100
Andere Namen *IRLD014PBF

12:45:09 3.29.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,86000 0,86
10 0,76900 7,69
25 0,73000 18,25
100 0,59950 59,95
250 0,56048 140,12
500 0,49530 247,65
1.000 0,39103 391,03
2.500 0,36496 912,40
5.000 0,34671 1.733,56

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