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Digi-Key Teilenummer IRFD110PBF-ND
Verfügbare Menge 2.528
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRFD110PBF

Beschreibung MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Erweiterte Beschreibung N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 9 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IRFD110
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Katalogseite 1445 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 1 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 8,3 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 180 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,3 W (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 540 mOhm @ 600 mA, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Gehäuse / Hülle 4-DIP (0,300", 7,62 mm)
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 100
Andere Namen *IRFD110PBF

22:30:54 2.25.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,67000 0,67
10 0,58800 5,88
25 0,55280 13,82
100 0,45110 45,11
250 0,41904 104,76
500 0,35664 178,32
1.000 0,28531 285,31
2.500 0,25856 646,41
5.000 0,24073 1.203,64

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