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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer IRFD110PBF-ND
Verfügbare Menge 6.058
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRFD110PBF

Beschreibung MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 9 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IRFD110
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
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Katalogseite 1445 (DE2011-DE PDF)
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Produktfamilie

Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET MOSFET-N-Kanal, Metalloxid
FET-Merkmal Standard
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 1A (Ta)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 540 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 250µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 8,3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 180pF @ 25V
Leistung - max. 1,3W
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäuse / Hülle 4-DIP (0,300", 7,62 mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 100
Andere Namen *IRFD110PBF

12:28:12 12.7.2016

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,68000 0,68
10 0,59400 5,94
25 0,55840 13,96
100 0,45570 45,57
250 0,42332 105,83
500 0,36026 180,13
1.000 0,28821 288,21
2.500 0,26119 652,98
5.000 0,24318 1.215,89

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