Zu Favoriten hinzufügen
Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer IRF640PBF-ND
Verfügbare Menge 4.007
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRF640PBF

Beschreibung MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Erweiterte Beschreibung N-Channel 200V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 11 Wochen
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Masse ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 18 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 70 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1300 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 125 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 180 mOhm @ 11 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
 
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 50
Andere Namen *IRF640PBF

10:43:15 2.23.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 1,40000 1,40
10 1,25300 12,53
25 1,18960 29,74
100 0,97700 97,70
250 0,91328 228,32
500 0,80710 403,55
1.000 0,63718 637,18
2.500 0,59470 1.486,76
5.000 0,56497 2.824,84

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Feedback senden