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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer IRF630PBF-ND
Verfügbare Menge 8.471
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRF630PBF

Beschreibung MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 11 Wochen
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Produktfamilie

Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 400 mOhm @ 5,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 250µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 43nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 800pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) *
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäuse / Hülle TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 50
Andere Namen *IRF630PBF

17:56:47 12.9.2016

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,97000 0,97
10 0,86800 8,68
25 0,82400 20,60
100 0,67680 67,68
250 0,63264 158,16
500 0,55906 279,53
1.000 0,44137 441,37
2.500 0,41195 1.029,87
5.000 0,39135 1.956,74

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