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Digi-Key Teilenummer IRF630PBF-ND
Verfügbare Menge 8.127
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRF630PBF

Beschreibung MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
Erweiterte Beschreibung N-Channel 200V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 11 Wochen
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Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 9 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 43nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 800pF @ 25V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 74 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 400 mOhm @ 5,4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
 
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  • Einheitspreis 0,15000
  • 3M9447-ND
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 50
Andere Namen *IRF630PBF

10:33:33 1.22.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,99000 0,99
10 0,88300 8,83
25 0,83840 20,96
100 0,68880 68,88
250 0,64384 160,96
500 0,56896 284,48
1.000 0,44919 449,19
2.500 0,41924 1.048,10
5.000 0,39828 1.991,39

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