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Digi-Key Teilenummer IRF610PBF-ND
Verfügbare Menge 4.064
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRF610PBF

Beschreibung MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
Erweiterte Beschreibung N-Channel 200V 3.3A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 11 Wochen
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 3,3 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 8,2 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 140 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±20 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 36 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 1,5 Ohm @ 2 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 50
Andere Namen *IRF610PBF

12:55:32 3.25.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,62000 0,62
10 0,54900 5,49
25 0,51600 12,90
100 0,42130 42,13
250 0,39136 97,84
500 0,33304 166,52
1.000 0,26643 266,43
2.500 0,24146 603,64
5.000 0,22480 1.124,02

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