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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer IRF610PBF-ND
Verfügbare Menge 3.275
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRF610PBF

Beschreibung MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 11 Wochen
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Produktfamilie

Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 3,3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 1,5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 250µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 8,2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 140pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) *
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäuse / Hülle TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 50
Andere Namen *IRF610PBF

15:45:23 12.9.2016

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,59000 0,59
10 0,52200 5,22
25 0,49120 12,28
100 0,40080 40,08
250 0,37232 93,08
500 0,31688 158,44
1.000 0,25351 253,51
2.500 0,22974 574,35
5.000 0,21390 1.069,48

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