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Digi-Key Teilenummer IRF510PBF-ND
Verfügbare Menge 3.981
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRF510PBF

Beschreibung MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
Erweiterte Beschreibung N-Channel 100V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 11 Wochen
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller

Vishay Siliconix

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 5,6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 250µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 8,3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 180pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 43W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 540 mOhm @ 3,4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 50
Andere Namen *IRF510PBF

17:58:48 1.17.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,86000 0,86
10 0,76000 7,60
25 0,71400 17,85
100 0,58280 58,28
250 0,54132 135,33
500 0,46070 230,35
1.000 0,36856 368,56
2.500 0,33401 835,03
5.000 0,31098 1.554,88

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