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Digi-Key Teilenummer 497-16127-5-ND
Verfügbare Menge 360
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

STW65N65DM2AG

Beschreibung MOSFET N-CH 650V 60A
Erweiterte Beschreibung N-Channel 650V 60A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 24 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter STW65N65DM2AG
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Hersteller

STMicroelectronics

Serie Automobiltechnik, AEC-Q101, MDmesh™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 650V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 5 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 120 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5500 pF @ 100 V
Vgs (Max.) ±25 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 446 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 50 mOhm @ 30 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30
Andere Namen 497-16127-5

02:40:48 3.29.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 9,60000 9,60
10 8,67300 86,73
100 7,18080 718,08
500 6,25298 3.126,49

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