Zu Favoriten hinzufügen
Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer 497-12344-1-ND
Verfügbare Menge 2.849
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

STQ2HNK60ZR-AP

Beschreibung MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
Erweiterte Beschreibung N-Channel 600V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 13 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter STx2HNK60Z(x)
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) STQ2HNK60ZR-AP View All Specifications
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller

STMicroelectronics

Serie SuperMESH™
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 500 mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5 V @ 50 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 15 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 280 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±30 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 4,8 Ohm @ 1 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-92-3
Gehäuse / Hülle TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (geformte Anschlüsse)
 
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1

21:47:15 2.27.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,74000 0,74
10 0,64700 6,47
100 0,49630 49,63
500 0,39234 196,17
1.000 0,31387 313,87

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Feedback senden