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Digi-Key Teilenummer 497-6197-1-ND
Verfügbare Menge 4.198
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

STQ1NK80ZR-AP

Beschreibung MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
Erweiterte Beschreibung N-Channel 800V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 13 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter STx1NK80ZR(R-AP,-1)
Vorgestelltes Produkt Power MOSFETs
Katalogseite 1459 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

STMicroelectronics

Serie SuperMESH™
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 800V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 300 mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5 V @ 50 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 7,7 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 160 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±30 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 16 Ohm @ 500 mA, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-92-3
Gehäuse / Hülle TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (geformte Anschlüsse)
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen 497-6197-1

21:25:15 2.27.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,68000 0,68
10 0,59900 5,99
100 0,45980 45,98
500 0,36348 181,74
1.000 0,29079 290,79

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band & Box (TB) ? : 497-6197-3-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.000
  • Verfügbare Menge: 4.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,25586
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