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Digi-Key Teilenummer 497-4369-5-ND
Verfügbare Menge 4.777
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Hersteller

Hersteller-Teilenummer

STP11NM80

Beschreibung MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
Erweiterte Beschreibung N-Channel 800V 11A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter STx11NM80
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) STP11NM80 View All Specifications
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Katalogseite 1457 (DE2011-DE PDF)
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Hersteller

STMicroelectronics

Serie MDmesh™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 800V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 11 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 43,6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1630pF @ 25V
Vgs (Max.) ±30V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 150 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 400 mOhm @ 5,5A, 10V
Betriebstemperatur -65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
 
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 50
Andere Namen 497-4369-5

17:44:42 1.24.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 5,35000 5,35
10 4,79700 47,97
100 3,93040 393,04
500 3,34586 1.672,93
1.000 2,82181 2.821,81

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