Zu Favoriten hinzufügen
Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer 497-2757-5-ND
Verfügbare Menge 11.240
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRF630

Beschreibung MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IRF630(FP)
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) IRF630 View All Specifications
EDA/CAD-Modelle ? Von Accelerated Designs herunterladen
Katalogseite 1456 (DE2011-DE PDF)
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Produktfamilie

Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Hersteller

STMicroelectronics

Serie MESH OVERLAY™ II
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 400 mOhm @ 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 250µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 700pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) *
Betriebstemperatur -65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäuse / Hülle TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
 
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 50
Andere Namen 497-2757-5

17:36:45 12.9.2016

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,81000 0,81
10 0,72300 7,23
100 0,56400 56,40
500 0,46590 232,95
1.000 0,36781 367,81

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Feedback senden