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Digi-Key Teilenummer 497-2757-5-ND
Verfügbare Menge 21.089
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IRF630

Beschreibung MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Erweiterte Beschreibung N-Channel 200V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IRF630(FP)
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) IRF630 View All Specifications
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Katalogseite 1456 (DE2011-DE PDF)
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Hersteller

STMicroelectronics

Serie MESH OVERLAY™ II
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 9 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 700pF @ 25V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 75 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 400 mOhm @ 4,5A, 10V
Betriebstemperatur -65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 50
Andere Namen 497-2757-5

19:29:02 1.23.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,83000 0,83
10 0,73600 7,36
100 0,57400 57,40
500 0,47414 237,07
1.000 0,37432 374,32

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