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Digi-Key Teilenummer SCT2160KEC-ND
Verfügbare Menge 2.548
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Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SCT2160KEC

Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Erweiterte Beschreibung N-Channel 1200V (1.2kV) 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SCT2160KE
Anwendungshinweis(e) SiC Power Devices and Modules
Produktschulungsmodul(e) SiC MOSFETs
Videodatei ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Vorgestelltes Produkt 2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs
1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
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Kategorien
Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 22 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 4 V @ 2,5 mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 62 nC @ 18 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1200 pF @ 800 V
Vgs (Max.) +22 V, -6 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 165 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 208 mOhm @ 7 A, 18 V
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 360

09:29:37 3.24.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 14,43000 14,43
10 13,12300 131,23
25 12,13920 303,48
100 11,15500 1.115,50
250 10,17068 2.542,67

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