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Digi-Key Teilenummer SCT2120AFC-ND
Verfügbare Menge 908
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SCT2120AFC

Beschreibung MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Erweiterte Beschreibung N-Channel 650V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SCT2120AF Datasheet
Anwendungshinweis(e) SiC Power Devices and Modules
Produktschulungsmodul(e) SiC MOSFETs
Videodatei ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
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Kategorien
Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 650V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 29 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 4 V @ 3,3 mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 61 nC @ 18 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1200 pF @ 500 V
Vgs (Max.) +22 V, -6 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 165 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 156 mOhm @ 10 A, 18 V
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1.000

13:02:13 3.1.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 8,56000 8,56
100 7,87580 787,58

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