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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer SCT2120AFC-ND
Verfügbare Menge 990
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SCT2120AFC

Beschreibung MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SCT2120AF Datasheet
Anwendungshinweis(e) SiC Power Devices and Modules
Videodatei ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
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Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Produktfamilie

Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET MOSFET-N-Kanal, Metalloxid
FET-Merkmal Siliziumkarbid (SiC)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 650V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 29A (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 156 mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 3,3mA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 61nC @ 18V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 1200pF @ 500V
Leistung - max. 165W
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäuse / Hülle TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1.000

15:00:13 12.5.2016

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 8,55000 8,55
100 7,86830 786,83

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