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Digi-Key Teilenummer SCT2080KEC-ND
Verfügbare Menge 3.474
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Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SCT2080KEC

Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
Erweiterte Beschreibung N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 20 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SCT2080KE
Anwendungshinweis(e) SiC Power Devices and Modules
Produktschulungsmodul(e) SiC MOSFETs
Videodatei ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Vorgestelltes Produkt 2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs
1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
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Kategorien
Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 40 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 4,4mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 106nC @ 18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2080pF @ 800V
Vgs (Max.) +22V, -6V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 262 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 117 mOhm @ 10A, 18V
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 360

13:03:59 1.22.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 17,21000 17,21
100 15,14710 1.514,71

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