Zu Favoriten hinzufügen
Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer SCT2080KEC-ND
Verfügbare Menge
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

SCT2080KEC

Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
Erweiterte Beschreibung N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter SCT2080KE
Anwendungshinweis(e) SiC Power Devices and Modules
Produktschulungsmodul(e) SiC MOSFETs
Videodatei ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Vorgestelltes Produkt 2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs
1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 40 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 4 V @ 4,4 mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 106 nC @ 18 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2080 pF @ 800 V
Vgs (Max.) +22 V, -6 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 262 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 117 mOhm @ 10 A, 18 V
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 360

22:25:54 3.26.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 23,18000 23,18
10 21,43600 214,36
25 19,69840 492,46
100 18,30770 1.830,77
250 16,80136 4.200,34

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Feedback senden