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Digi-Key Teilenummer BSM300D12P2E001-ND
Verfügbare Menge 40
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

BSM300D12P2E001

Beschreibung MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Erweiterte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A 1875W Chassis Mount Module
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter BSM300D12P2E001
Produktschulungsmodul(e) SiC Power Module
Videodatei ROHM Semi 2 N-Channel MOSFET | Digi-Key Daily
Vorgestelltes Produkt BSM300D12P2E001 SiC Power Module
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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie -
Verpackung ? Tablett ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET 2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal Standard
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 300 A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C -
Vgs(th) (max.) bei Id 4 V @ 68 mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 35000 pF @ 10 V
Leistung - max. 1875 W
Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten Modul
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 4

09:36:03 3.30.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 573,41000 573,41
10 552,17900 5.521,79

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