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Digi-Key Teilenummer NTD3055L104-1GOS-ND
Verfügbare Menge 1
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Hersteller

Hersteller-Teilenummer

NTD3055L104-1G

Beschreibung MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Erweiterte Beschreibung N-Channel 60V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Through Hole I-Pak
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter NTD3055L104
PCN-Design/Spezifikation Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013
PCN-Montage/Herkunft TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013
Katalogseite 1474 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

ON Semiconductor

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 12 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 2 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 20 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 440 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±15 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,5 W (Ta), 48 W (Tj)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 104 mOhm @ 6 A, 5 V
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten I-Pak
Gehäuse / Hülle TO-251-3 kurze Anschlüsse
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 75
Andere Namen NTD3055L104-1G-ND
NTD3055L104-1GOS
NTD3055L1041G

20:39:56 3.29.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,62000 0,62
10 0,53400 5,34
100 0,39910 39,91
500 0,31358 156,79
1.000 0,24231 242,31

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