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Digi-Key Teilenummer IXXN110N65B4H1-ND
Verfügbare Menge 180
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXXN110N65B4H1

Beschreibung IGBT 650V 215A 750W SOT227B
Erweiterte Beschreibung IGBT Module PT Single 650V 215A 750W Chassis Mount SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXXN110N65B4H1
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Hersteller

IXYS

Serie GenX4™, XPT™
Status der Komponente Aktiv
IGBT-Typ PT
Konfiguration Einzeln
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 215 A
Leistung - max. 750 W
Vce(ein) (max) @ Vge, Ic 2,1 V @ 15 V, 110 A
Strom - Kollektorrest (Ic) (max.) 50 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce 3,65nF @ 25V
Eingabe Standard
NTC-Thermistor Nein
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 10

09:36:37 3.23.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 22,56000 22,56
10 20,86800 208,68
25 19,17560 479,39
100 17,82220 1.782,22
250 16,35580 4.088,95
500 15,56620 7.783,10

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