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Digi-Key Teilenummer IXTY08N100D2-ND
Verfügbare Menge 2.077
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXTY08N100D2

Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
Erweiterte Beschreibung N-Channel 1000V (1kV) 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 10 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXT(Y,A,P)08N100D2
Vorgestelltes Produkt Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
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Hersteller

IXYS

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1000V (1kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 800 mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) -
Vgs(th) (max.) bei Id -
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 14,6 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 325 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±20 V
FET-Merkmal Mit Verarmungsschicht
Verlustleistung (max.) 60 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 21 Ohm @ 400 mA, 0 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252, (D-Pak)
Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 70

21:16:51 3.24.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 2,45000 2,45
10 2,22000 22,20
25 1,98240 49,56
100 1,78420 178,42
250 1,58592 396,48
500 1,38768 693,84
1.000 1,14979 1.149,79
2.500 1,07050 2.676,24

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