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Digi-Key Teilenummer IXTY08N100D2-ND
Verfügbare Menge 1.092
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXTY08N100D2

Beschreibung MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
Erweiterte Beschreibung N-Channel 1000V (1kV) 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 10 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXT(Y,A,P)08N100D2
Vorgestelltes Produkt Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
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Kategorien
Hersteller

IXYS

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1000V (1kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 800mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs(th) (max.) bei Id -
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 14,6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 325pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Merkmal Mit Verarmungsschicht
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 21 Ohm @ 400mA, 0V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252, (D-Pak)
Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 70

00:29:04 1.18.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 2,38000 2,38
10 2,15000 21,50
25 1,91960 47,99
100 1,72760 172,76
250 1,53568 383,92
500 1,34372 671,86
1.000 1,11337 1.113,37
2.500 1,03658 2.591,46
5.000 0,99819 4.990,96

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