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Digi-Key Teilenummer IXTT2N170D2-ND
Verfügbare Menge 165
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXTT2N170D2

Beschreibung MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
Erweiterte Beschreibung N-Channel 1700V (1.7kV) 2A (Tj) 568W (Tc) Surface Mount TO-268
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 14 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXT(T,H)2N170D2
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Hersteller

IXYS

Serie -
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1700V (1,7kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 2 A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) -
Vgs(th) (max.) bei Id -
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 110nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3650pF @ 25V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal Mit Verarmungsschicht
Verlustleistung (max.) 568 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 6,5 Ohm @ 1A, 0V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-268
Gehäuse / Hülle TO-268-3, D³Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-268AA
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30

11:41:27 1.24.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 18,30000 18,30
10 16,64300 166,43
25 15,39480 384,87
100 14,14650 1.414,65
250 12,89828 3.224,57
500 12,06612 6.033,06

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