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Digi-Key Teilenummer IXTN200N10L2-ND
Verfügbare Menge 250
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXTN200N10L2

Beschreibung MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
Erweiterte Beschreibung N-Channel 100V 178A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXTN200N10L2
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Hersteller

IXYS

Serie Linear L2™
Verpackung ? -
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 178 A
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5 V @ 3 mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 540 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 23000 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 830 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 11 mOhm @ 100 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B
Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 10
Andere Namen 624413
Q5211084

19:34:52 2.20.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 34,92000 34,92
10 32,29800 322,98
25 29,67920 741,98
100 27,58410 2.758,41
250 25,31456 6.328,64

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