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Digi-Key Teilenummer IXTH200N10T-ND
Verfügbare Menge 223
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXTH200N10T

Beschreibung MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXT(H,Q)200N10T
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Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Produktfamilie

Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Hersteller

IXYS

Serie TrenchMV™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET MOSFET-N-Kanal, Metalloxid
FET-Merkmal Standard
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 200A (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 5,5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V @ 250µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 152nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 9400pF @ 25V
Leistung - max. 550W
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäuse / Hülle TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH)
 
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  • Einheitspreis 5,31000
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30

01:03:22 12.3.2016

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 5,47000 5,47
10 4,88100 48,81
25 4,39240 109,81
100 4,00200 400,20
250 3,61164 902,91
500 3,24068 1.620,34
1.000 2,73310 2.733,10
2.500 2,59645 6.491,12

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