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Digi-Key Teilenummer IXTH200N10T-ND
Verfügbare Menge 1.618
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXTH200N10T

Beschreibung MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Erweiterte Beschreibung N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXT(H,Q)200N10T
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Hersteller

IXYS

Serie TrenchMV™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V @ 250µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 152nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 9400pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 550W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 5,5 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH)
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30

04:51:32 1.18.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 5,57000 5,57
10 4,96700 49,67
25 4,47040 111,76
100 4,07290 407,29
250 3,67556 918,89
500 3,29806 1.649,03
1.000 2,78150 2.781,50
2.500 2,64242 6.606,06

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