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Digi-Key Teilenummer IXFX180N25T-ND
Verfügbare Menge 403
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXFX180N25T

Beschreibung MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247
Erweiterte Beschreibung N-Channel 250V 180A (Tc) 1390W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXF(K,X)180N25T
Vorgestelltes Produkt GigaMOS™ Power MOSFETs
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Kategorien
Hersteller

IXYS

Serie GigaMOS™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 250V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 180 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 345nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 28000pF @ 25V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1390 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 12,9 mOhm @ 60A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten PLUS247™-3
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30

18:07:54 1.21.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 12,84000 12,84
10 11,67100 116,71
25 10,79600 269,90
100 9,92050 992,05
250 9,04516 2.261,29
500 8,46160 4.230,80
1.000 7,76133 7.761,33

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