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Digi-Key Teilenummer IXFN60N80P-ND
Verfügbare Menge 450
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXFN60N80P

Beschreibung MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Erweiterte Beschreibung N-Channel 800V 53A 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXFN60N80P
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Hersteller

IXYS

Serie PolarHV™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 800V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 53 A
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 250nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 18000pF @ 25V
Vgs (Max.) ±30V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1040 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 140 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B
Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 10

12:27:27 1.22.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 26,97000 26,97
10 24,94800 249,48
25 22,92520 573,13
100 21,30660 2.130,66
250 19,55356 4.888,39
500 18,60956 9.304,78

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