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Digi-Key Teilenummer IXFN360N15T2-ND
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Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXFN360N15T2

Beschreibung MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
Erweiterte Beschreibung N-Channel 150V 310A 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXFN360N15T2
Vorgestelltes Produkt GigaMOS™ TrenchT2™ Power MOSFETs
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Kategorien
Hersteller

IXYS

Serie GigaMOS™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 150V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 310A
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 715nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 47500pF @ 25V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1070 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 4 mOhm @ 60A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B
Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 10

16:06:46 1.19.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 35,57000 35,57
10 32,90300 329,03
25 30,23480 755,87
100 28,10040 2.810,04
250 25,78840 6.447,10

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