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Digi-Key Teilenummer IXFN360N10T-ND
Verfügbare Menge 855
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXFN360N10T

Beschreibung MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Erweiterte Beschreibung N-Channel 100V 360A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXFN360N10T
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Hersteller

IXYS

Serie HiPerFET™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 360A
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 505nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 36000pF @ 25V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 830 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 2,6 mOhm @ 180A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B
Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 10

22:06:57 1.19.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 20,15000 20,15
10 18,31300 183,13
25 16,93960 423,49
100 15,56600 1.556,60
250 14,19256 3.548,14
500 13,27692 6.638,46

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