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Digi-Key Teilenummer IXFN360N10T-ND
Verfügbare Menge 1.230
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXFN360N10T

Beschreibung MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Erweiterte Beschreibung N-Channel 100V 360A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXFN360N10T
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Hersteller

IXYS

Serie HiPerFET™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 360 A
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 505 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 36000 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±20 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 830 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 2,6 mOhm @ 180 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B
Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 10

10:51:12 3.29.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 20,81000 20,81
10 18,91200 189,12
25 17,49400 437,35
100 16,07530 1.607,53
250 14,65688 3.664,22
500 13,71128 6.855,64

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