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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer IXFN360N10T-ND
Verfügbare Menge 428
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXFN360N10T

Beschreibung MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXFN360N10T
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Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Produktfamilie

Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Hersteller

IXYS

Serie HiPerFET™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 360A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 2,6 mOhm @ 180A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V @ 250µA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 505nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 36000pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) *
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 10

16:34:25 12.10.2016

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 19,80000 19,80
10 17,99400 179,94
25 16,64480 416,12
100 15,29520 1.529,52
250 13,94560 3.486,40
500 13,04590 6.522,95

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