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Digi-Key Teilenummer IXFN230N20T-ND
Verfügbare Menge 321
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXFN230N20T

Beschreibung MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
Erweiterte Beschreibung N-Channel 200V 220A 1090W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXFN230N20T
Vorgestelltes Produkt GigaMOS™ Power MOSFETs
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Kategorien
Hersteller

IXYS

Serie GigaMOS™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 200V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 220 A
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 5 V @ 8 mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 378 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 28000 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1090W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 7,5 mOhm @ 60 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B
Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 10

05:39:19 2.22.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 25,39000 25,39
10 23,48900 234,89
25 21,58480 539,62
100 20,06120 2.006,12
250 18,41060 4.602,65
500 17,52180 8.760,90

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