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Digi-Key Teilenummer IXFN180N10-ND
Verfügbare Menge 3.315
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXFN180N10

Beschreibung MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Erweiterte Beschreibung N-Channel 100V 180A 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXFN180N10
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Hersteller

IXYS

Serie HiPerFET™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 180 A
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4 V @ 8 mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 360 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 9100 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 600 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 8 mOhm @ 500 mA, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B
Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
 
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  • Einheitspreis 34,60000
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 10
Andere Namen 479462

09:40:17 2.22.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 25,34000 25,34
10 23,43800 234,38
25 21,53760 538,44
100 20,01690 2.001,69
250 18,37000 4.592,50
500 17,48316 8.741,58

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