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Digi-Key Teilenummer IXFN180N10-ND
Verfügbare Menge 3.451
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXFN180N10

Beschreibung MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Erweiterte Beschreibung N-Channel 100V 180A 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
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Datenblätter IXFN180N10
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Hersteller

IXYS

Serie HiPerFET™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 180 A
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 360nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 9100pF @ 25V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 600 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 8 mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B
Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 10
Andere Namen 479462

05:25:12 1.21.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 26,05000 26,05
10 24,09600 240,96
25 22,14200 553,55
100 20,57870 2.057,87
250 18,88552 4.721,38
500 17,97380 8.986,90

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