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Digi-Key Teilenummer IXFN110N60P3-ND
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Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXFN110N60P3

Beschreibung MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
Erweiterte Beschreibung N-Channel 600V 90A 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 10 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXFN110N60P3
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Hersteller

IXYS

Serie HiPerFET™, Polar3™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 90 A
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 5 V @ 8 mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 245 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 18000 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±30 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1500 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 56 mOhm @ 55 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B
Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 10
Andere Namen 625715

13:57:48 3.1.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 24,47000 24,47
10 22,63300 226,33
25 20,79840 519,96
100 19,33010 1.933,01
250 17,73964 4.434,91
500 16,88326 8.441,63

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