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Digi-Key Teilenummer IXFN110N60P3-ND
Verfügbare Menge 262
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

IXFN110N60P3

Beschreibung MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
Erweiterte Beschreibung N-Channel 600V 90A 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 10 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter IXFN110N60P3
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Hersteller

IXYS

Serie HiPerFET™, Polar3™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 90A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 5V @ 8mA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 245nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 18000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1500W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 56 mOhm @ 55A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B
Gehäuse / Hülle SOT-227-4, miniBLOC
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 10
Andere Namen 625715

05:06:35 1.16.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 24,88000 24,88
10 23,01200 230,12
25 21,14640 528,66
100 19,65360 1.965,36
250 18,03656 4.509,14
500 17,16584 8.582,92

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