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Digi-Key Teilenummer BSZ110N06NS3GINCT-ND
Verfügbare Menge 8.471
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

BSZ110N06NS3 G

Beschreibung MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Erweiterte Beschreibung N-Channel 60V 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 10 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter BSZ110N06NS3G
BSZ110N06NS3 G
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Weiteres Multiple Changes 09/Jul/2014
Katalogseite 1535 (DE2011-DE PDF)
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Kategorien
Hersteller

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 20 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 23µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 33nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2700pF @ 30V
Vgs (Max.) ±20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,1 W (Ta), 50 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 11 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8
Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen BSZ110N06NS3GINCT

23:12:46 1.22.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,63000 0,63
10 0,55500 5,55
100 0,42520 42,52
500 0,33612 168,06
1.000 0,26890 268,90

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : BSZ110N06NS3GINTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 5.000
  • Verfügbare Menge: 5.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,22027
  • Digi-Reel® ? : BSZ110N06NS3GINDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 8.471 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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