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Digi-Key Teilenummer BSZ086P03NS3E GCT-ND
Verfügbare Menge 6.449
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

BSZ086P03NS3E G

Beschreibung MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Erweiterte Beschreibung P-Channel 30V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 10 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter BSZ086P03NS3E G
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Weiteres Multiple Changes 09/Jul/2014
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Kategorien
Hersteller

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Verpackung ? Am Band (Cut Tape - CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 13,5 A (Ta), 40 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3,1V @ 105µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 57,5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4785pF @ 15V
Vgs (Max.) ±25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,1 W (Ta), 69 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 8,6 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8
Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
 
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen BSZ086P03NS3E GCT

14:29:06 1.20.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,83000 0,83
10 0,72600 7,26
100 0,55600 55,60
500 0,43954 219,77
1.000 0,35162 351,62

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Band und Spule (Tape and Reel - TR) ? : BSZ086P03NS3E GTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 5.000
  • Verfügbare Menge: 5.000 - Sofort
  • Einheitspreis: 0,28804
  • Digi-Reel® ? : BSZ086P03NS3E GDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 6.449 - Sofort
  • Einheitspreis: Digi-Reel®
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