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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer FQU13N06LTU-ND
Verfügbare Menge 5.150
Kann sofort versendet werden

Lagerbestand des Herstellers ?: 10.080
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

FQU13N06LTU

Beschreibung MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Erweiterte Beschreibung N-Channel 60V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-Pak
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 6 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter FQD13N06L, FQU13N06L
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Switches for Power Processing
PCN-Design/Spezifikation FQD13N06 22/Jul/2016
PCN-Verpackung Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
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Kategorien
Hersteller

Fairchild/ON Semiconductor

Serie QFET®
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 11 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5 V @ 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 6,4 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 350 pF @ 25 V
Vgs (Max.) ±20 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5 W (Ta), 28 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 115 mOhm @ 5,5 A, 10 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten I-Pak
Gehäuse / Hülle TO-251-3 kurze Anschlüsse
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 70

20:05:09 3.26.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 0,72000 0,72
10 0,63000 6,30
100 0,48300 48,30
500 0,38182 190,91
1.000 0,30545 305,45

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Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Stange ? : FQU13N06LTU_WS-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 8.895 - Sofort
    5.040 - Lagerbestand des Herstellers ?
  • Einheitspreis: 0,61000
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