Zu Favoriten hinzufügen
Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer C2M0280120D-ND
Verfügbare Menge 3.008
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

C2M0280120D

Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Erweiterte Beschreibung N-Channel 1200V (1.2kV) 10A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-247-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter C2M0280120D
Vorgestelltes Produkt Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie Z-FET™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 10 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,8 V @ 1,25 mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 20,4 nC @ 20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 259 pF @ 1000 V
Vgs (Max.) +25V, -10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 62,5 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 370 mOhm @ 6 A, 20 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
zur Verwendung mit
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30

18:46:17 2.22.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 5,07000 5,07
100 4,87350 487,35
500 4,74970 2.374,85

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Feedback senden