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Digi-Key Teilenummer C2M0280120D-ND
Verfügbare Menge 3.843
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

C2M0280120D

Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter C2M0280120D
Vorgestelltes Produkt Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Produktfamilie

Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie Z-FET™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET MOSFET-N-Kanal, Metalloxid
FET-Merkmal Siliziumkarbid (SiC)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 10A (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 370 mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,8V @ 1,25mA (Typ)
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 20,4nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 259pF @ 1000V
Leistung - max. 62,5W
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäuse / Hülle TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
 
zur Verwendung mit
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30

12:17:40 12.3.2016

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 5,12000 5,12
100 4,92300 492,30
500 4,79802 2.399,01

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