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Digi-Key Teilenummer C2M0160120D-ND
Verfügbare Menge 1.657
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Hersteller-Teilenummer

C2M0160120D

Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247
Erweiterte Beschreibung N-Channel 1200V (1.2kV) 17.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter C2M0160120D
Vorgestelltes Produkt Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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Cree/Wolfspeed

Serie Z-FET™
Verpackung ? Stange ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 17,7 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5 V @ 500 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 32,6 nC @ 20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 527 pF @ 800 V
Vgs (Max.) +25 V, -10 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 125 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 196 mOhm @ 10 A, 20 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
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Standardpaket ? 30

15:53:38 3.23.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 7,86000 7,86
100 7,56140 756,14
500 7,37500 3.687,50

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