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Digi-Key Teilenummer C2M0080120D-ND
Verfügbare Menge 5.248
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Hersteller

Hersteller-Teilenummer

C2M0080120D

Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Erweiterte Beschreibung N-Channel 1200V (1.2kV) 36A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-247-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter C2M0080120D
Anwendungshinweis(e) SiC MOSFET Isolated Gate Driver
Vorgestelltes Produkt Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie C2M™
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Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 36 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V
Vgs(th) (max.) bei Id 4 V @ 5 mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 62 nC @ 5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 950 pF @ 1000 V
Vgs (Max.) +25 V, -10 V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 192 W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 98 mOhm @ 20 A, 20 V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
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Standardpaket ? 30

05:17:54 2.28.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 15,56000 15,56
100 14,96560 1.496,56
500 14,58750 7.293,75

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