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Digi-Key Teilenummer C2M0080120D-ND
Verfügbare Menge 5.700
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

C2M0080120D

Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Erweiterte Beschreibung N-Channel 1200V (1.2kV) 36A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-247-3
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter C2M0080120D
Anwendungshinweis(e) SiC MOSFET Isolated Gate Driver
Vorgestelltes Produkt Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie C2M™
Verpackung ? Masse ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 5mA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 62nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 950pF @ 1000V
Vgs (Max) +25V, -10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 192W (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 98 mOhm @ 20A, 20V
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30

05:01:21 1.17.2017

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 16,00000 16,00
100 15,38560 1.538,56
500 14,99688 7.498,44

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