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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer C2M0080120D-ND
Verfügbare Menge 6.301
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Hersteller-Teilenummer

C2M0080120D

Beschreibung MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Dokumente & Medien
Datenblätter C2M0080120D
Anwendungshinweis(e) SiC MOSFET Isolated Gate Driver
Vorgestelltes Produkt Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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Kategorie

Diskrete Halbleiterprodukte

Produktfamilie

Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie C2M™
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Status der Komponente Aktiv
Typ FET MOSFET-N-Kanal, Metalloxid
FET-Merkmal Siliziumkarbid (SiC)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss) 1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 36A (Tc)
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V @ 5mA
Gateaufladung (Qg) @ Vgs 62nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) bei Vds 950pF @ 1000V
Leistung - max. 192W
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäuse / Hülle TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
 
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 30

22:07:46 12.3.2016

Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
1 15,72000 15,72
100 15,11790 1.511,79
500 14,73594 7.367,97

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