

TPH3207WS | |
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DigiKey-Teilenr. | TPH3207WS-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | TPH3207WS |
Beschreibung | GANFET N-CH 650V 50A TO247-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 50 A (Tc) 178W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | TPH3207WS Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 41mOhm bei 32A, 8V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,65V bei 700µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 42 nC @ 8 V | |
Vgs (Max.) | ±18V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2197 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 178W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247-3 | |
Gehäuse / Hülle |