Name: DMN3200U-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3200U-7DITR-ND
Price: 0.357 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN3200U-7
DigiKey-Teilenr.	DMN3200U-7DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN3200U-7DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN3200U-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN3200U-7
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 2,2 A (Ta) 650mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMN3200U-7 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	90mOhm bei 2,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	290 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	650mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23-3
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	DMN3200